RAM Resistiva: terabytes de armazenamento, 20 vezes mais rápida que NAND

Não sofremos uma escassez de novas formas experimentais de memória, mas uma empresa chamada Crossbar está trabalhando em algo chamado RAM resistiva que pode superar os chips NAND.

Com metade do tamanho da RAM NAND tradicional, mas 20 vezes mais veloz para escrever dados – cerca de 140MB/s – essa coisa tem tudo para ser muito boa. Ela também consome 20 vezes menos energia, dura 10 vezes mais, e lê dados a 17MB/s. Sua estrutura 3D também oferece mais densidade de dados: um chip de 200 mm² pode oferecer mais de 1TB de armazenamento.

O novo estilo de RAM, que está quase pronto para aparecer nos nossos futuros dispositivos, usa uma estrutura de três camadas que pode ser empilhada e três dimensões, mas também pode ser produzida em fábricas tradicionais de chips. Mais do que isso, ela também pode ser feita usando a infraestrutura de produção já existente.

A nova RAM vai inicialmente aparecer incorporada a SoCs – no entanto, a Crossbar é a detentora exclusiva das patentes RRAM, então não sabemos quanto elas custarão. Esperamos que seja barata. [Crossbarvia VentureBeat via Engadget]