Já vimos o que está por dentro do iPhone 5S e do 5C e também já sabemos que ele é absurdamente rápido – mas agora o iFixit olhou mais de perto o chip A7 que equipa o novo smartphone. Ao usar gravação com feixe de íons, é possível separar camadas de um semicondutor e analisar […]
Ao usar gravação com feixe de íons, é possível separar camadas de um semicondutor e analisar como ele é feito. E o iFixit fez isso, junto com o Chipworks. Eis alguns das principais descobertas:
Uma grande: “Confirmamos em nossas primeiras análises que ele é fabricado pela Fundição da Samsung. Suspeitamos que veremos um HKMG de 28nm da Samsung sendo usado.
A distância entre os transistores é de 114nm, comparado com os 123nm de distância do A6.
Esta diferença de 9nm – de um processo de 28 nm para um de 32 nm – significa que a mesma potência computacional pode ser colocada em apenas 77% da área original. Mas considerando que o A7 é maior que o A6, está claro como foi possível colocar tanta potência nele.
Ao todo, o A7 tem mais de um bilhão de transistores em 102 milímetros quadrados.
A Chipworks afirma que a área do S7 do chip é um NXP LPC18A1 – parte da série LPC1800 de microcontroladores de alta performance baseados em ARM Cortex-M3.
O M7 conta com acelerômetro, giroscópio e um magnetômetro, e faz cálculos bem complexos antes de passar orientações para o chip principal.
O módulo Wi-Fi é exatamente o mesmo do iPhone 5.
O modem 4G LTE usa dois chips: um processador baseband da Samsung e um módulo DRAM da Samsung para reter informações específicas de operadoras.
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